单二极管

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-CoolSiC™+FRED Pt®
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
400 V650 V1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
20A30A60A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25 V @ 60 A1.31 V @ 20 A1.5 V @ 60 A1.7 V @ 30 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns80 ns85 ns400 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 400 V60 µA @ 400 V100 µA @ 1200 V220 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
860pF @ 1V，1MHz-
封装/外壳
DO-247-2（直引线）TO-220-2TO-247-2TO-247-3
供应商器件封装
DO-247PG-TO247-3TO-220ACTO-247AC 改进型
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C-40°C ~ 150°C-40°C ~ 175°C
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
PG-TO247-3
IDW30G65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Infineon Technologies
1,128
现货
1 : ¥95.15000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
650 V
30A
1.7 V @ 30 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
220 µA @ 650 V
860pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
-55°C ~ 175°C
552
现货
1 : ¥23.07000
管件
管件
在售
标准
400 V
60A
1.25 V @ 60 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
85 ns
50 µA @ 400 V
-
通孔
TO-247-2
TO-247AC 改进型
-55°C ~ 175°C
DO-247
STTH60R04W
DIODE GEN PURP 400V 60A DO247
STMicroelectronics
271
现货
1 : ¥26.44000
管件
-
管件
在售
标准
400 V
60A
1.5 V @ 60 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
80 ns
60 µA @ 400 V
-
通孔
DO-247-2（直引线）
DO-247
-40°C ~ 175°C
0
现货
查看交期
1 : ¥26.68000
管件
-
管件
在售
标准
1200 V
20A
1.31 V @ 20 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
400 ns
100 µA @ 1200 V
-
通孔
TO-220-2
TO-220AC
-40°C ~ 150°C
显示
/ 4

单二极管

单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。