单二极管

结果 : 4
制造商
onsemiSMC Diode SolutionsSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
包装
剪切带（CT）带盒（TB）散装
技术
标准肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
40 V100 V200 V600 V
电流 - 平均整流 (Io)
200mA1A2A5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
600 mV @ 1 A1 V @ 10 mA1.1 V @ 5 A1.7 V @ 2 A
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
4 ns50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 µA @ 600 V5 µA @ 75 V1 mA @ 40 V1 mA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容
4pF @ 0V，1MHz55pF @ 4V，1MHz-
封装/外壳
DO-201AD，轴向DO-204AH，DO-35，轴向DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装
DO-201ADDO-204AL（DO-41）DO-35DO-41
工作温度 - 结
-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C-40°C ~ 175°C
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
DO-35
1N4148
SMALL SGNL DIODE DO35 100V 175C
onsemi
187,678
现货
775,000
工厂
1 : ¥0.82000
散装
-
散装
在售
标准
100 V
200mA
1 V @ 10 mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF @ 0V，1MHz
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
-55°C ~ 175°C
DO-41
1N5819
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Taiwan Semiconductor Corporation
15,067
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.49975
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
肖特基
40 V
1A
600 mV @ 1 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
1 mA @ 40 V
55pF @ 4V，1MHz
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-204AL（DO-41）
-55°C ~ 125°C
DO-201AD
SB5200
DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201AD
SMC Diode Solutions
5,201
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
1,250 : ¥1.02340
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
肖特基
200 V
5A
1.1 V @ 5 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
1 mA @ 200 V
-
通孔
DO-201AD，轴向
DO-201AD
-55°C ~ 150°C
1N5819
STTH2R06
DIODE GEN PURP 600V 2A DO41
STMicroelectronics
8,342
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.74836
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
标准
600 V
2A
1.7 V @ 2 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
50 ns
2 µA @ 600 V
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
-40°C ~ 175°C
显示
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单二极管

单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。