单二极管

结果 : 3
制造商
Microchip TechnologySTMicroelectronicsVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-SUPERECTIFIER®
包装
剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装
技术
标准肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
40 V50 V1000 V
电流 - 平均整流 (Io)
200mA1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
550 mV @ 1 A1 V @ 200 mA1.1 V @ 1 A
速度
小信号 =< 200mA(Io),任意速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
4 ns2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 50 V5 µA @ 1000 V500 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容
8pF @ 4V,1MHz-
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装
DO-204AH(DO-35)DO-204AL(DO-41)DO-41
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C150°C(最大)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
1N5819
1N5819
SCHOTTKY DO15 40V 1A 150C
STMicroelectronics
63,518
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
2,000 : ¥0.56155
带盒(TB)
-
剪切带(CT)
带盒(TB)
在售
肖特基
40 V
1A
550 mV @ 1 A
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
-
500 µA @ 40 V
-
-
-
通孔
DO-204AL,DO-41,轴向
DO-41
150°C(最大)
21,334
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
5,500 : ¥1.25258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
标准
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
2 µs
5 µA @ 1000 V
8pF @ 4V,1MHz
-
-
通孔
DO-204AL,DO-41,轴向
DO-204AL(DO-41)
-50°C ~ 150°C
DO-204AH, DO-35, Axial
JANTX1N4150-1
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Microchip Technology
9
现货
1 : ¥8.62000
散装
-
散装
在售
标准
50 V
200mA
1 V @ 200 mA
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
4 ns
100 nA @ 50 V
-
军用
MIL-PRF-19500/231
通孔
DO-204AH,DO-35,轴向
DO-204AH(DO-35)
-65°C ~ 175°C
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单二极管


单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。