单二极管

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay General Semiconductor - Diodes DivisionWolfspeed, Inc.
系列
-CoolSiC™+Z-Rec®
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
5A15A17A20A31.5A33A34A60A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.09 V @ 60 A1.55 V @ 15 A1.65 V @ 10 A1.7 V @ 20 A1.75 V @ 10 A1.8 V @ 10 A2.2 V @ 5 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）无恢复时间 > 500mA（Io）标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns95 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 1200 V80 µA @ 1200 V100 µA @ 1200 V200 µA @ 1200 V210 µA @ 650 V250 µA @ 1200 V300 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
550pF @ 1V，1MHz590pF @ 1V，1MHz612pF @ 1V，100kHz730pF @ 1V，1MHz754pF @ 0V，1MHz-
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-220-2 全封装，隔离接片TO-247-2TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO247-2PG-TO247-3-41TO-220FPACTO-247TO-247-2TO-247AC 改进型TO-252-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C-40°C ~ 150°C175°C175°C（最大）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
C2D05120E
C4D10120E
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2
Wolfspeed, Inc.
6,419
现货
1 : ¥46.71000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
33A
1.8 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
250 µA @ 1200 V
754pF @ 0V，1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2 FullPack, ITO-220AC
STTH512FP
DIODE GP 1.2KV 5A TO220FPAC
STMicroelectronics
1,809
现货
1 : ¥7.14000
管件
-
管件
在售
标准
1200 V
5A
2.2 V @ 5 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
95 ns
5 µA @ 1200 V
-
-
-
通孔
TO-220-2 全封装，隔离接片
TO-220FPAC
175°C（最大）
R6020ENZ4C13
SCS215AEGC11
DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Rohm Semiconductor
293
现货
1 : ¥60.01000
管件
-
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
650 V
15A
1.55 V @ 15 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
300 µA @ 600 V
550pF @ 1V，1MHz
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
175°C
TO-247-3 AC EP
IDW20G65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Infineon Technologies
2,284
现货
1 : ¥63.46000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
650 V
20A
1.7 V @ 20 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
210 µA @ 650 V
590pF @ 1V，1MHz
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-41
-55°C ~ 175°C
C3D10170H
C4D10120H
DIODE SIL CARB 1.2KV 31.5A TO247
Wolfspeed, Inc.
2,482
现货
1 : ¥64.12000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
31.5A
1.8 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
250 µA @ 1200 V
754pF @ 0V，1MHz
-
-
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
TO-247-2-Series
FFSH10120A
DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
onsemi
334
现货
4,050
工厂
1 : ¥40.64000
管件
-
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
17A
1.75 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
200 µA @ 1200 V
612pF @ 1V，100kHz
-
-
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
0
现货
查看交期
1 : ¥53.36000
管件
-
管件
在售
标准
1200 V
60A
1.09 V @ 60 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
100 µA @ 1200 V
-
-
-
通孔
TO-247-2
TO-247AC 改进型
-40°C ~ 150°C
IDWD10G120C5XKSA1
IDWD10G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
30 : ¥41.75233
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
34A
1.65 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
80 µA @ 1200 V
730pF @ 1V，1MHz
-
-
通孔
TO-247-2
PG-TO247-2
-55°C ~ 175°C
显示
/ 8

单二极管

单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。