8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 339
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInfineon Technologies Canada Inc.IXYSLittelfuse Inc.
系列
-aMOS5™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7CoolMOS™ S7CoolMOS™S7DeepGATE™, STripFET™ VIIEELFDmesh™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V40 V50 V60 V80 V100 V180 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4V,5V4.5V,10V4.5V,5V5V6V10V10V,15V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12.3 毫欧 @ 12A,4.5V14 毫欧 @ 8A,10V14 毫欧 @ 8A,4.5V15 毫欧 @ 4A,10V17.5 毫欧 @ 5A,10V17.5 毫欧 @ 9A,4.5V17.8 毫欧 @ 8.7A,4.5V18 毫欧 @ 8A,10V19.2 毫欧 @ 7A,10V19.5 毫欧 @ 5A,10V20 毫欧 @ 4A,10V20 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 1.74mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 6 V6.34 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V8.4 nC @ 5 V8.4 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V9.4 nC @ 10 V10.3 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V11.2 nC @ 4.5 V11.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+7V,-10V±8V±10V±12V+15V,-5V±16V±18V±20V±25V±30V30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
52 pF @ 400 V290 pF @ 10 V300 pF @ 25 V306 pF @ 25 V330 pF @ 25 V335 pF @ 10 V350 pF @ 25 V375 pF @ 100 V380 pF @ 25 V387 pF @ 100 V390 pF @ 10 V395 pF @ 100 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),25W(Tc)1W(Ta),15W(Tc)1.5W(Ta)1.5W(Tc)1.56W(Ta),40W(Tc)1.6W1.7W(Ta),2.7W(Tc)2W(Ta),3.5W(Tc)2W(Ta),3.6W(Tc)2W(Ta),4.1W(Tc)2W(Ta),4.2W(Tc)2W(Ta),4.6W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/601
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)6-TSOP8-DFN(3.15x3.05)8-PDFN(5x6)8-SO8-SOIC8-SOP8-TSSOP18-ULCC(9.14x7.49)D2PAKD3PAKDPAK
封装/外壳
6-PowerWDFN6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)18-CLCCISOPLUS220™PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8WPowerPAK® CHIPFET™ 单
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
339结果
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/ 339
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
40,261
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.90658
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tc)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 8A,10V
1V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4436DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Vishay Siliconix
10,751
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05598
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
36 毫欧 @ 4.6A,10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Pkg 5540
SI3493BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
10,626
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.88545
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8A(Tc)
1.8V,4.5V
27.5 毫欧 @ 7A,4.5V
900mV @ 250µA
43.5 nC @ 5 V
±8V
1805 pF @ 10 V
-
2.08W(Ta),2.97W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PowerPAK 1212-8
SI7309DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,022
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39552
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
115 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),19.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,379
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
DPAK
STD10LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
STMicroelectronics
5,162
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.92331
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
630 毫欧 @ 4A,10V
5V @ 100µA
15 nC @ 10 V
±30V
427 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
SPA08N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
Infineon Technologies
2,558
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
650 毫欧 @ 5.1A,10V
3.9V @ 470µA
60 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-31
TO-220-3 整包
TO-247-3-PKG-Series
APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Microchip Technology
544
现货
1 : ¥37.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
8A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 4A,10V
5V @ 1mA
60 nC @ 10 V
±30V
1885 pF @ 25 V
-
290W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
Pkg 5540
SQ3495EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,339
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80616
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tc)
2.5V,10V
21 毫欧 @ 5A,4.5V
1.4V @ 250µA
41 nC @ 4.5 V
±12V
3950 pF @ 20 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3407DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
13,220
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8A(Tc)
2.5V,4.5V
24 毫欧 @ 7.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±12V
1670 pF @ 10 V
-
4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3421DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
19,442
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.37104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tc)
4.5V,10V
19.2 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2580 pF @ 15 V
-
2W(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3424CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
9,945
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14196
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tc)
4.5V,10V
26 毫欧 @ 7.2A,10V
2.5V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 15 V
-
3.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
81,122
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.97605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tc)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 6.1A,10V
3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
2W(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3473CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,695
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
8A(Tc)
1.8V,4.5V
22 毫欧 @ 8.1A,4.5V
1V @ 250µA
65 nC @ 8 V
±8V
2010 pF @ 6 V
-
2W(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3477DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
29,136
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.24503
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
8A(Tc)
1.8V,4.5V
17.5 毫欧 @ 9A,4.5V
1V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±10V
2600 pF @ 6 V
-
2W(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
7,919
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.48136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tc)
4.5V,10V
19.5 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
2W(Ta),4.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PowerPAK 1212-8W Bottom View
SQS460ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Vishay Siliconix
6,775
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.91336
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
36 毫欧 @ 5.3A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
755 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK 1212-8
SQS460EN-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
59,189
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.81039
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
36 毫欧 @ 5.3A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
755 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD8NF25
MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
STMicroelectronics
7,040
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.70704
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
8A(Tc)
10V
420 毫欧 @ 8A,10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
3,456
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71766
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8A(Tc)
1.8V,4.5V
27 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1V @ 250µA
24 nC @ 8 V
±8V
860 pF @ 10 V
-
2W(Ta),3.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
SI4436DY-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Vishay Siliconix
12,883
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05598
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
36 毫欧 @ 4.6A,10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,588
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.36159
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
63 毫欧 @ 4.3A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 25 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7309DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,802
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39552
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
115 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),19.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD11N50M2
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
STMicroelectronics
4,175
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.11879
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8A(Tc)
10V
530 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
395 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SQS460EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
4,782
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.20254
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
4.5V,10V
36 毫欧 @ 5.3A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
755 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。