单二极管

结果 : 10
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesSemiQ
系列
Amp+™CoolSiC™+SiC Schottky MPS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1200 V1700 V
电流 - 平均整流 (Io)
10A15A21A25A26A29A42A49A55A110A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.65 V @ 5 A1.65 V @ 15 A1.65 V @ 40 A1.8 V @ 5 A1.8 V @ 10 A1.8 V @ 20 A1.8 V @ 30 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 1200 V10 µA @ 1200 V20 µA @ 1200 V20 µA @ 1700 V124 µA @ 1200 V332 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
347pF @ 1V，1MHz361pF @ 1V，1MHz367pF @ 1V，1MHz721pF @ 1V，1MHz737pF @ 1V， 1MHz1050pF @ 1V，1MHz1101pF @ 1V，1MHz2592pF @ 1V，1MHz-
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-220-2TO-247-2TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO247-2TO-220-2TO-247-2TO-252-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C175°C
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
TO-252-2
GD10MPS12E
DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
GeneSiC Semiconductor
7,636
现货
1 : ¥29.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥18.96410
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
29A
1.8 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF @ 1V，1MHz
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
GD10MPS12A
DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2
GeneSiC Semiconductor
819
现货
1 : ¥31.94000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
25A
1.8 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
GD20MPS12A
DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO220-2
GeneSiC Semiconductor
2,327
现货
1 : ¥52.38000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
42A
1.8 V @ 20 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
10 µA @ 1200 V
737pF @ 1V， 1MHz
通孔
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
GD10MPS17H
GD10MPS17H
DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
GeneSiC Semiconductor
1,832
现货
1 : ¥67.07000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1700 V
26A
1.8 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
20 µA @ 1700 V
721pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
IDWD40G120C5XKSA1
IDWD40G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247
Infineon Technologies
421
现货
1 : ¥139.15000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
110A
1.65 V @ 40 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
332 µA @ 1200 V
2592pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-247-2
PG-TO247-2
-55°C ~ 175°C
GD05MPS17H
GD05MPS17H
DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2
GeneSiC Semiconductor
792
现货
1 : ¥43.43000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1700 V
15A
1.8 V @ 5 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
20 µA @ 1700 V
361pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
GD25MPS17H
GD10MPS12H
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
GeneSiC Semiconductor
2,626
现货
1 : ¥38.67000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
10A
-
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
-
-
通孔
TO-247-2
TO-247-2
175°C
PG-TO247-2
IDWD15G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247-2
Infineon Technologies
228
现货
1 : ¥45.40000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
49A
1.65 V @ 15 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
124 µA @ 1200 V
1050pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-247-2
PG-TO247-2
-55°C ~ 175°C
GP3D050A120B
GP3D005A170B
DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2
SemiQ
0
现货
查看交期
1 : ¥45.48000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1700 V
21A
1.65 V @ 5 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
20 µA @ 1700 V
347pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
TO2472
GD30MPS12H
DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2
GeneSiC Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥81.11000
管件
管件
在售
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
55A
1.8 V @ 30 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
20 µA @ 1200 V
1101pF @ 1V，1MHz
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
显示
/ 10

单二极管

单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。