二极管阵列

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesWeEn Semiconductors
系列
-Rapid 2
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky标准
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
16A40A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 8 A2.2 V @ 40 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns36 ns
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C175°C
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
二极管配置
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
工作温度 - 结
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
AUIRFP4310Z BACK
IDW80C65D2XKSA1
DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3
Infineon Technologies
205
现货
1 : ¥25.78000
管件
管件
在售
1 对共阴极
标准
650 V
40A
2.2 V @ 40 A
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
36 ns
40 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
WNSXXXXXXXXXWQ
WNSC2D16650CWQ
DIODE ARR SIC 650V 16A TO247-3
WeEn Semiconductors
0
现货
查看交期
480 : ¥20.29856
管件
-
管件
在售
1 对共阴极
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
16A
1.7 V @ 8 A
无恢复时间 > 500mA(Io)
0 ns
40 µA @ 650 V
175°C
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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二极管阵列


二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。