二极管阵列

结果 : 4
系列
MSPSiC Schottky MPS™
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V1200 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）
52A（DC）108A（DC）136A（DC）150A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 100 A1.8 V @ 150 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 650 V10 µA @ 650 V25 µA @ 1200 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
二极管配置
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
工作温度 - 结
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
GD2X100MPS06N
GD2X100MPS06N
DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
GeneSiC Semiconductor
241
现货
1 : ¥393.33000
管件
管件
在售
2 个独立式
SiC（Silicon Carbide）Schottky
650 V
108A（DC）
1.8 V @ 100 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
5 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
GD2X100MPS06N
GD2X150MPS06N
DIODE MOD SIC 650V 150A SOT227
GeneSiC Semiconductor
303
现货
1 : ¥522.14000
管件
管件
在售
2 个独立式
SiC（Silicon Carbide）Schottky
650 V
150A（DC）
1.8 V @ 150 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
10 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
GD2X30MPS12N
GD2X30MPS12N
DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT227
GeneSiC Semiconductor
111
现货
1 : ¥278.23000
管件
管件
在售
2 个独立式
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
52A（DC）
-
无恢复时间 > 500mA（Io）
-
-
-55°C ~ 175°C
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
GD2X100MPS12N
GD2X100MPS12N
DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT227
GeneSiC Semiconductor
122
现货
1 : ¥677.39000
管件
管件
在售
2 个独立式
SiC（Silicon Carbide）Schottky
1200 V
136A（DC）
1.8 V @ 100 A
无恢复时间 > 500mA（Io）
0 ns
25 µA @ 1200 V
-55°C ~ 175°C
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
显示
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二极管阵列

二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。