SQJ968EP-T1_GE3

DigiKey 零件编号
SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - 卷带(TR)
SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
SQJ968EP-T1_GE3
描述
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 60V 23.5A(Tc) 42W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SQJ968EP-T1_GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
33.6 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
714pF @ 30V
功率 - 最大值
42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TA)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT)
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥8.70000¥8.70
10¥7.09300¥70.93
100¥5.51620¥551.62
500¥4.67582¥2,337.91
1,000¥3.80894¥3,808.94
卷带(TR)
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
3,000¥3.58569¥10,757.07
6,000¥3.41494¥20,489.64
9,000¥3.25732¥29,315.88
制造商标准包装