Name: SQJ402EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ402EP-T1_BE3TR-ND
Price: 12.4 CNY
Availability: InStock

SQJ402EP-T1_BE3
DigiKey 零件编号	742-SQJ402EP-T1_BE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SQJ402EP-T1_BE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SQJ402EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SQJ402EP-T1_BE3
描述	N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
原厂标准交货期	26 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK® SO-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SQJ402EP-T1_BE3 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11 毫欧 @ 10.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2286 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	PowerPAK® SO-8

SQJ402EP-T1_BE3