SIZ250DT-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件编号 | 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIZ250DT-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 14A 8PWRPAIR |
原厂标准交货期 | 18 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 14A(Ta),38A(Tc) 4.3W(Ta),33W(Tc) 表面贴装型 8-PowerPair®(3.3x3.3) |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIZ250DT-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 2 N-通道(双) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A(Ta),38A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12.2 毫欧 @ 10A,10V,12.7 毫欧 @ 10A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 840pF @ 30V,790pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | 4.3W(Ta),33W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN | |
供应商器件封装 | 8-PowerPair®(3.3x3.3) | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥9.52000 | ¥9.52 |
10 | ¥7.79100 | ¥77.91 |
100 | ¥6.05940 | ¥605.94 |
500 | ¥5.13620 | ¥2,568.10 |
1,000 | ¥4.18398 | ¥4,183.98 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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3,000 | ¥3.93868 | ¥11,816.04 |
6,000 | ¥3.75112 | ¥22,506.72 |
9,000 | ¥3.57800 | ¥32,202.00 |