SISH536DN-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件编号 | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SISH536DN-T1-GE3 |
描述 | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
原厂标准交货期 | 10 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 24.7A(Ta),67.4A(Tc) 3.57W(Ta),26.5W(Tc) PowerPAK® 1212-8SH |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.25 毫欧 @ 10A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | +16V,-12V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1150 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 3.57W(Ta),26.5W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8SH | |
封装/外壳 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥5.01000 | ¥5.01 |
10 | ¥4.27700 | ¥42.77 |
100 | ¥2.97110 | ¥297.11 |
500 | ¥2.31960 | ¥1,159.80 |
1,000 | ¥1.88530 | ¥1,885.30 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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3,000 | ¥1.68536 | ¥5,056.08 |
6,000 | ¥1.59968 | ¥9,598.08 |
9,000 | ¥1.48541 | ¥13,368.69 |
30,000 | ¥1.45113 | ¥43,533.90 |
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