SIHP22N60E-GE3 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 464
单价: ¥24.71000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 2,687
单价: ¥17.98000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 3,741
单价: ¥31.61000
规格书

类似


onsemi
现货: 790
单价: ¥38.01000
规格书

类似


onsemi
现货: 668
单价: ¥31.28000
规格书

类似


onsemi
现货: 2,195
单价: ¥35.55000
规格书

类似


onsemi
现货: 3,892
单价: ¥43.10000
规格书

类似


onsemi
现货: 143
单价: ¥38.75000
规格书

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Infineon Technologies
现货: 500
单价: ¥32.02000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 490
单价: ¥40.47000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 4,366
单价: ¥44.91000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,279
单价: ¥47.21000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 460
单价: ¥34.65000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 87
单价: ¥27.91000
规格书

SIHP22N60E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHP22N60E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHP22N60E-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
原厂标准交货期
15 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 227W(Tc)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1920 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
227W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1,000¥16.47182¥16,471.82
2,000¥15.51001¥31,020.02
5,000¥14.88027¥74,401.35
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。