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市场产品
SIHP11N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIHP11N80AE-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHP11N80AE-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB |
原厂标准交货期 | 23 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 800 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 5.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 804 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 78W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.01000 | ¥16.01 |
| 50 | ¥12.85160 | ¥642.58 |
| 100 | ¥10.57500 | ¥1,057.50 |
| 500 | ¥8.94786 | ¥4,473.93 |
| 1,000 | ¥7.59210 | ¥7,592.10 |
| 2,000 | ¥7.21248 | ¥14,424.96 |
| 5,000 | ¥6.94132 | ¥34,706.60 |
| 10,000 | ¥6.71152 | ¥67,115.20 |
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