Name: SIHB12N50C-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N50C-E3-ND
Price: 21.4702 CNY
Availability: OutOfStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	最后售卖
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	555 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1375 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	SIHB12

数量	单价 (含13%增值税)	总价 (含13%增值税)
1,000	¥21.47020	¥21,470.20
2,000	¥20.21648	¥40,432.96

SIHB12N50C-E3