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市场产品
IRLD110PBF | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IRLD110PBF-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IRLD110PBF |
描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IRLD110PBF 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 最后售卖 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 100 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 600mA，5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.1 nC @ 5 V | |
Vgs（最大值） | ±10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | 4-HVMDIP | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.63000 | ¥13.63 |
| 10 | ¥11.29700 | ¥112.97 |
| 100 | ¥8.98970 | ¥898.97 |
| 500 | ¥7.60704 | ¥3,803.52 |
| 1,000 | ¥6.45438 | ¥6,454.38 |
| 2,000 | ¥6.13170 | ¥12,263.40 |
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