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3N163-E3 已经过时且不再制造。
可用替代品:
类似
3N163-E3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 3N163-E3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | 3N163-E3 |
描述 | MOSFET P-CH 40V 50MA TO72 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 P 通道 40 V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | 3N163-E3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 40 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 欧姆 @ 100µA，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 10µA | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3.5 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 375mW（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-72 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
