US1BHE3_A/H 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 6,039
单价: ¥3.45000
规格书

参数等效


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 7,800
单价: ¥3.45000
规格书

直接


Micro Commercial Co
现货: 40,775
单价: ¥2.22000
规格书

升级


onsemi
现货: 147,862
单价: ¥5.34000
规格书

类似


onsemi
现货: 261,798
单价: ¥3.53000
规格书

类似


onsemi
现货: 50,924
单价: ¥3.20000
规格书

参数等效


Comchip Technology
现货: 3,430
单价: ¥3.86000
规格书

参数等效


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 2,636
单价: ¥0.00000
规格书

参数等效


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 134
单价: ¥4.27000
规格书

参数等效


Panjit International Inc.
现货: 5,400
单价: ¥3.12000
规格书

US1BHE3_A/H

DigiKey 零件编号
US1BHE3_A/H-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
US1BHE3_A/H
描述
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
原厂标准交货期
10 周
客户内部零件编号
详细描述
二极管 100 V 1A 表面贴装型 DO-214AC(SMA)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
在售
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
100 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 1 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容
15pF @ 4V,1MHz
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
卷带(TR)
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
3,600¥0.93952¥3,382.27
5,400¥0.90049¥4,862.65
9,000¥0.81045¥7,294.05
45,000¥0.79844¥35,929.80
90,000¥0.75042¥67,537.80