NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 分立半导体产品

NSB8JT-E3/81
DigiKey 零件编号	NSB8JT-E3/81GITR-ND - 卷带（TR） NSB8JT-E3/81GICT-ND - 剪切带（CT） NSB8JT-E3/81GIDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
制造商产品编号	NSB8JT-E3/81
描述	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
客户内部零件编号
详细描述	二极管 600 V 8A 表面贴装型 TO-263AB（D2PAK）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品二极管整流器单二极管
制造商	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
技术	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	600 V
电流 - 平均整流 (Io)	8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.1 V @ 8 A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容	55pF @ 4V，1MHz
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
供应商器件封装	TO-263AB（D2PAK）
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C
基本产品编号	NSB8

NSB8JT-E3/81