EGF1D-2HE3_B/H 可以购买了,但通常没有现货。
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 6,190
单价: ¥5.25000
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参数等效


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 8,268
单价: ¥5.25000
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EGF1D-2HE3_B/H

DigiKey 零件编号
112-EGF1D-2HE3_B/HTR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
EGF1D-2HE3_B/H
描述
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
客户内部零件编号
详细描述
二极管 200 V 1A 表面贴装型 DO-214BA(GF1)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
零件状态
在售
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
200 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 1 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容
15pF @ 4V,1MHz
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-214BA(GF1)
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
基本产品编号