TPD3215M Transphorm | 分立半导体产品

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Transphorm
系列	-
包装	散装
零件状态	停产
技术	GaNFET（氮化镓）
配置	2 个 N 通道（半桥）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	70A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	34 毫欧 @ 30A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	28nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2260pF @ 100V
功率 - 最大值	470W
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	模块
供应商器件封装	模块
基本产品编号	TPD3215