Name: TP65H035G4QS
Brand: Transphorm
SKU: 1707-TP65H035G4QSTR-ND
Price: 144.49 CNY
Availability: InStock

TP65H035G4QS
DigiKey 零件编号	1707-TP65H035G4QSTR-ND - 卷带（TR） 1707-TP65H035G4QSCT-ND - 剪切带（CT） 1707-TP65H035G4QSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Transphorm
制造商产品编号	TP65H035G4QS
描述	650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 46.5A（Tc） 156W（Tc） TOLL
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Transphorm
系列	SuperGaN®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	46.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	41 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1500 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	156W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TOLL
封装/外壳	8-PowerSFN

TP65H035G4QS