RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage | 分立半导体产品

RN1106MFV(TL3,T)
DigiKey 零件编号	RN1106MFV(TL3T)TR-ND - 卷带（TR） RN1106MFV(TL3T)CT-ND - 剪切带（CT） RN1106MFV(TL3T)DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	RN1106MFV(TL3,T)
描述	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
客户内部零件编号
详细描述	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RN1106MFV(TL3,T) 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管双极（BJT）单，预偏置双极晶体管
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
晶体管类型	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50 V
电阻器 - 基极 (R1)	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)	47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
功率 - 最大值	150 mW
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	SOT-723
供应商器件封装	VESM
基本产品编号	RN1106

RN1106MFV(TL3,T)