STWA48N60DM2 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

参数等效


STMicroelectronics
现货: 341
单价: ¥49.01000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 21
单价: ¥110.83000
规格书

类似


onsemi
现货: 881
单价: ¥74.46000
规格书

类似


onsemi
现货: 234
单价: ¥88.09000
规格书

类似


onsemi
现货: 447
单价: ¥96.47000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 450
单价: ¥111.98000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 517
单价: ¥114.61000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 5
单价: ¥71.18000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 2,858
单价: ¥58.29000
规格书

STWA48N60DM2

DigiKey 零件编号
497-18651-ND
制造商
制造商产品编号
STWA48N60DM2
描述
MOSFET N-CH 600V 40A TO247
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247 长引线
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STWA48N60DM2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
79 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3250 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247 长引线
封装/外壳
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
600¥47.53382¥28,520.29
1,200¥42.78040¥51,336.48
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。