STU6N65M2 | |
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DigiKey 零件编号 | 497-15044-5-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | STU6N65M2 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 4A(Tc) 60W(Tc) TO-251(IPAK) |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STU6N65M2 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.35 欧姆 @ 2A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.8 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 226 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 60W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-251(IPAK) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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75 | ¥6.96307 | ¥522.23 |
150 | ¥5.51807 | ¥827.71 |
375 | ¥5.46555 | ¥2,049.58 |
525 | ¥4.67724 | ¥2,455.55 |
1,875 | ¥3.81018 | ¥7,144.09 |
3,750 | ¥3.58681 | ¥13,450.54 |
7,500 | ¥3.41601 | ¥25,620.08 |