Name: STB35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16357-2-ND
Price: 47.29 CNY
Availability: OutOfStock

STB35N60DM2 没有现货，但可以进行缺货下单。

可用替代品:

参数等效

STMicroelectronics

现货: 2,788

单价: ¥52.54000

类似

Infineon Technologies

现货: 2,943

单价: ¥66.99000

STB35N60DM2
DigiKey 零件编号	497-16357-2-ND - 卷带（TR） 497-16357-1-ND - 剪切带（CT） 497-16357-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STB35N60DM2
描述	MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 28A（Tc） 210W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STB35N60DM2 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	STMicroelectronics
系列	MDmesh™ DM2
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	110 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2400 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	210W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	STB35