SCTW35N65G2V 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:
SCTW35N65G2V | |
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DigiKey 零件编号 | 497-SCTW35N65G2V-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW35N65G2V |
描述 | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
原厂标准交货期 | 41 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 45A(Tc) 240W(Tc) HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTW35N65G2V 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V,20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 67毫欧 @ 20A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 73 nC @ 20 V | |
Vgs(最大值) | +22V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1370 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 240W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | HiP247™ | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
30 | ¥103.60400 | ¥3,108.12 |
90 | ¥97.50889 | ¥8,775.80 |
300 | ¥94.46217 | ¥28,338.65 |
750 | ¥88.36783 | ¥66,275.87 |
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