RQ3E080BNTB | |
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DigiKey 零件编号 | RQ3E080BNTBTR-ND - 卷带(TR) RQ3E080BNTBCT-ND - 剪切带(CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | RQ3E080BNTB |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT |
原厂标准交货期 | 21 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 8A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3) |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | RQ3E080BNTB 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15.2 毫欧 @ 8A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14.5 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 660 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 8-HSMT(3.2x3) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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3,000 | ¥0.88255 | ¥2,647.65 |
剪切带(CT)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥2.87000 | ¥2.87 |
10 | ¥2.25800 | ¥22.58 |
100 | ¥1.35380 | ¥135.38 |
500 | ¥1.25314 | ¥626.57 |
1,000 | ¥0.88255 | ¥882.55 |
Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥4.10000 | ¥4.10 |
10 | ¥3.21000 | ¥32.10 |
100 | ¥1.92520 | ¥192.52 |
500 | ¥1.78284 | ¥891.42 |
1,000 | ¥1.21226 | ¥1,212.26 |