RFD3055LE 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


STMicroelectronics
现货: 1,179
单价: ¥6.08000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 44,637
单价: ¥3.45000
规格书

RFD3055LE

DigiKey 零件编号
RFD3055LE-ND
制造商
制造商产品编号
RFD3055LE
描述
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 60 V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
107 毫欧 @ 8A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
350 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
IPAK
封装/外壳
基本产品编号