Name: NVMFS3D0P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS3D0P04M8LT1GTR-ND
Price: 23.23 CNY
Availability: InStock

NVMFS3D0P04M8LT1G
DigiKey 零件编号	488-NVMFS3D0P04M8LT1GTR-ND - 卷带（TR） 488-NVMFS3D0P04M8LT1GCT-ND - 剪切带（CT） 488-NVMFS3D0P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVMFS3D0P04M8LT1G
描述	MV8 P INITIAL PROGRAM
原厂标准交货期	19 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 40 V 28A（Ta），183A（Tc） 3.9W（Ta），171W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NVMFS3D0P04M8LT1G 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	28A（Ta），183A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5827 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.9W（Ta），171W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳	8-PowerTDFN，5 引线