Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 17.4 CNY
Availability: InStock

NTTFS1D2N02P1E
DigiKey 零件编号	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - 卷带（TR） 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - 剪切带（CT） 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTTFS1D2N02P1E
描述	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
原厂标准交货期	25 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 23A（Ta），180A（Tc） 820mW（Ta），52W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTTFS1D2N02P1E 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	23A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 934µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4040 pF @ 13 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	820mW（Ta），52W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN
基本产品编号	NTTFS1