NTLUD3A260PZTBG 已经过时且不再制造。
可用替代品:
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 卷带(TR) | |
零件状态 | 停产 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 2 个 P 沟道(双) | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 200 毫欧 @ 2A,4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.2nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 300pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 500mW | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 | |
供应商器件封装 | 6-UDFN(1.6x1.6) | |
基本产品编号 |