NTLGF3501NT2G onsemi | 分立半导体产品

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	FETKY™
包装	卷带（TR）
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	275 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.14W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-DFN（3x3）
封装/外壳	6-VDFN 裸露焊盘
基本产品编号	NTLGF3501

NTLGF3501NT2G