FQD12P10TM-F085 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Diodes Incorporated
现货: 65,750
单价: ¥5.17000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 21,860
单价: ¥11.58000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 3,588
单价: ¥11.49000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 11,374
单价: ¥7.22000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 9,658
单价: ¥13.63000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 5,113
单价: ¥7.55000
规格书

FQD12P10TM-F085

DigiKey 零件编号
FQD12P10TM-F085TR-ND - 卷带(TR)
FQD12P10TM-F085CT-ND - 剪切带(CT)
FQD12P10TM-F085DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
FQD12P10TM-F085
描述
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 P 通道 100 V 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252AA
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FQD12P10TM-F085 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
290 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
基本产品编号