FDG6321C-F169 onsemi | 分立半导体产品

FDG6321C-F169
DigiKey 零件编号	FDG6321C-F169-ND
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDG6321C-F169
描述	MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC70-6
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 25V 500mA（Ta），410mA（Ta） 300mW 表面贴装型 SC-70-6
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	onsemi
系列	-
包装	散装
零件状态	停产
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	N 和 P 沟道
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	500mA（Ta），410mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	50pF @ 10V，62pF @ 10V
功率 - 最大值	300mW
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	SC-70-6
基本产品编号	FDG6321

FDG6321C-F169