FDB024N04AL7 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似

IPB020N04NGATMA1
Infineon Technologies
现货: 3,448
单价: ¥24.30000
规格书

类似

NP160N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: ¥0.00000
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FDB024N04AL7

DigiKey 零件编号
FDB024N04AL7TR-ND - 卷带（TR）
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDB024N04AL7
描述
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 214W（Tc） TO-263-7
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
109 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
基本产品编号
FDB024