CPH6355-TL-H onsemi | 分立半导体产品

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	169 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	172 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-CPH
封装/外壳	SOT-23-6
基本产品编号	CPH635