IXFH17N80Q 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Vishay Siliconix
现货: 4,418
单价: ¥29.80000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥23.88016
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥19.55488
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,553
单价: ¥27.91000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 649
单价: ¥43.02000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥46.47000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 546
单价: ¥34.56000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥28.18067
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 497
单价: ¥67.89000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥23.55610
规格书

IXFH17N80Q

DigiKey 零件编号
IXFH17N80Q-ND
制造商
制造商产品编号
IXFH17N80Q
描述
MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 800 V 17A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
95 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
400W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD(IXFH)
封装/外壳
基本产品编号