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市场产品
FF6MR12KM1BOSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-FF6MR12KM1BOSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | FF6MR12KM1BOSA1 |
描述 | SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 250A（Tc） 底座安装 AG-62MM |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | FF6MR12KM1BOSA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 停产 | |
技术 | 碳化硅（SiC） | |
配置 | 2 个 N 通道（半桥） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.81 毫欧 @ 250A，15V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.15V @ 80mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 496nC @ 15V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14700pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | - | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | AG-62MM | |
基本产品编号 |
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8现货
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