Name: DMT69M9LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT69M9LPDW-13TR-ND
Price: 3.49334 CNY
Availability: OutOfStock

DMT69M9LPDW-13
DigiKey 零件编号	31-DMT69M9LPDW-13TR-ND - 卷带（TR）
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMT69M9LPDW-13
描述	MOSFET 2N-CH 60V 11A/44A PWRDI50
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 60V 11A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），40.3W（Tc）表面贴装型 PowerDI5060-8（UXD 类）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	在售
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 N-通道（双）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），44A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2212pF @ 30V
功率 - 最大值	2.5W（Ta），40.3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PowerDI5060-8（UXD 类）
基本产品编号	DMT69

DMT69M9LPDW-13