存储器

结果 : 9
包装
卷带（TR）托盘盒
产品状态
停产在售
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量
8Gb16Gb
存储器组织
256M x 32512M x 32
存储器接口
-并联
时钟频率
1.866 GHz2.133 GHz
写周期时间 - 字，页
18ns-
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V1.1V
工作温度
-40°C ~ 105°C（TC）-40°C ~ 95°C（TC）-30°C ~ 85°C（TC）-25°C ~ 85°C（TC）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100
封装/外壳
200-TFBGA200-VFBGA200-WFBGA
供应商器件封装
200-TFBGA（10x14.5）200-VFBGA（10x14.5）200-WFBGA（10x14.5）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
670
现货
1 : ¥118.13000
托盘
-
托盘
在售
-
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
8Gb
256M x 32
并联
2.133 GHz
-
-
1.06V ~ 1.17V
-40°C ~ 105°C（TC）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
200-VFBGA
200-VFBGA（10x14.5）
200 TFBGA ZW
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Micron Technology Inc.
781
现货
1 : ¥150.07000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
16Gb
512M x 32
并联
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-25°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
200-TFBGA
200-TFBGA（10x14.5）
1,360
现货
1 : ¥98.92000
托盘
-
托盘
在售
-
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
8Gb
256M x 32
并联
2.133 GHz
-
-
1.06V ~ 1.17V
-40°C ~ 95°C（TC）
-
-
表面贴装型
200-VFBGA
200-VFBGA（10x14.5）
1,339
现货
1 : ¥142.52000
托盘
-
托盘
停产
未验证
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
8Gb
256M x 32
-
1.866 GHz
-
-
1.1V
-40°C ~ 95°C（TC）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
200-WFBGA
200-WFBGA（10x14.5）
0
现货
查看交期
2,000 : ¥64.28229
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
-
-
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
8Gb
256M x 32
并联
2.133 GHz
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
200-VFBGA
200-VFBGA（10x14.5）
0
现货
查看交期
1,360 : ¥101.22800
托盘
-
托盘
在售
-
-
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
8Gb
256M x 32
并联
2.133 GHz
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
200-VFBGA
200-VFBGA（10x14.5）
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
未验证
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
8Gb
256M x 32
-
2.133 GHz
-
-
1.1V
-30°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
200-WFBGA
200-WFBGA（10x14.5）
200-WFBGA
MT53E256M32D2DS-046 WT:B
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Micron Technology Inc.
0
现货
停产
-
托盘
停产
未验证
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
8Gb
256M x 32
-
2.133 GHz
-
-
1.1V
-30°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
200-WFBGA
200-WFBGA（10x14.5）
0
现货
停产
-
盒
停产
未验证
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR4X
8Gb
256M x 32
并联
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-30°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
200-TFBGA
200-TFBGA（10x14.5）
显示
/ 9

存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。