栅极驱动器
结果 : 76
包装
产品状态
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压 - 供电
逻辑电压 - VIL,VIH
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
输入类型
高压侧电压 - 最大值(自举)
上升/下降时间(典型值)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | DigiKey 可编程 | 驱动配置 | 通道类型 | 驱动器数 | 栅极类型 | 电压 - 供电 | 逻辑电压 - VIL,VIH | 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 输入类型 | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 上升/下降时间(典型值) | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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57 现货 | 1 : ¥840.16000 托盘 | 托盘 | 不适用于新设计 | 未验证 | 半桥 | - | 2 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15V | - | 6A,6A | - | - | 100ns,80ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 表面贴装型 | 模块 | 模块 | |||
180 现货 | 1 : ¥952.35000 托盘 | 托盘 | 在售 | 未验证 | 半桥 | - | 2 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | - | - | 18A,18A | - | - | 160ns,130ns | -40°C ~ 85°C | 通孔 | 44-DIP 模块,42 引线 | 模块 | |||
69 现货 | 1 : ¥1,506.26000 散装 | 散装 | 不适用于新设计 | 未验证 | 高压侧或低压侧 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 12V ~ 16V | 0.9V,3.8V | 15A,15A | - | - | 40ns,40ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 通孔 | 模块 | 模块 | |||
24 现货 | 1 : ¥2,041.82000 托盘 | 托盘 | 在售 | 未验证 | 高压侧或低压侧 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 12V ~ 16V | 0.9V,3.8V | 15A,15A | - | - | 40ns,40ns | -40°C ~ 85°C | 通孔 | 36-DIP 模块,24 引线 | 模块 | |||
0 现货 | 1 : ¥952.35000 托盘 | 托盘 | 不适用于新设计 | 未验证 | 半桥 | - | 2 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15V | - | 18A,18A | - | - | - | -40°C ~ 85°C(TA) | 表面贴装型 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 查看交期 | 16 : ¥1,077.49813 散装 | 散装 | 在售 | 未验证 | 半桥 | - | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15V | - | 48A,48A | - | - | - | -40°C ~ 85°C(TA) | 通孔 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 查看交期 | 12 : ¥1,727.61583 散装 | 散装 | 在售 | 未验证 | 半桥 | - | 2 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15V | - | 18A,18A | - | - | - | -40°C ~ 85°C(TA) | 通孔 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | - | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15V | - | 48A,48A | - | - | - | -40°C ~ 85°C(TA) | 通孔 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | - | 2 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15V | - | 18A,18A | - | - | - | -40°C ~ 85°C(TA) | 通孔 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | 单路 | 1 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET | 15.5V ~ 16.8V | - | 12A,12A | - | - | 100ns,100ns | -40°C ~ 85°C(TA) | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | 半桥 | - | 6 | IGBT | 0V ~ 16V | - | - | - | - | 160ns,130ns | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | - | - | 6 | IGBT | - | - | - | - | 800 V | - | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | - | - | 6 | IGBT | - | - | - | - | 1200 V | - | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | - | - | - | IGBT | - | - | - | - | 800 V | - | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | - | - | - | IGBT | - | - | - | - | 800 V | - | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | - | - | - | IGBT | - | - | - | - | 800 V | - | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | - | - | - | IGBT | - | - | - | - | 800 V | - | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 | 停产 | 散装 | 停产 | 未验证 | - | - | - | IGBT | - | - | - | - | 1200 V | - | -40°C ~ 85°C | 底座安装 | 模块 | 模块 |
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