IGBT 模块

结果 : 5
系列
-Power-SPM™
包装
散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
-场截止
配置
3 个独立式Three Phase半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A40 A50 A75 A100 A
功率 - 最大值
135 W156 W250 W310 W400 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，30A2.2V @ 15V，40A2.8V @ 15V，100A2.8V @ 15V，50A2.8V @ 15V，75A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2.92 nF @ 30 V4.515 nF @ 30 V6.085 nF @ 30 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装通孔
封装/外壳
EPM7F2 模块模块
供应商器件封装
EPM7F2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
2,076
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
-
半桥
600 V
50 A
250 W
2.8V @ 15V，50A
250 µA
2.92 nF @ 30 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
EPM7
EPM7
2,912
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
-
半桥
600 V
75 A
310 W
2.8V @ 15V，75A
250 µA
4.515 nF @ 30 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
EPM7
EPM7
FP7G100US60 SIDE 1
FP7G100US60
IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
Fairchild Semiconductor
3,236
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
-
半桥
600 V
100 A
400 W
2.8V @ 15V，100A
250 µA
6.085 nF @ 30 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
EPM7
EPM7
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FPF2C8P2NL07A
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Fairchild Semiconductor
70
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
场截止
Three Phase
650 V
30 A
135 W
2.2V @ 15V，30A
250 µA
-
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
F2 模块
F2
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FPF2G120BF07AS
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Fairchild Semiconductor
980
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
场截止
3 个独立式
650 V
40 A
156 W
2.2V @ 15V，40A
250 µA
-
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
模块
F2
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。