单 IGBT

结果 : 2
制造商
IXYSMicrochip Technology
系列
-XPT™, GenX4™
产品状态
停产在售
IGBT 类型
NPTPT
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
88 A480 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A1200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V，140A3.2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
500 W1500 W
开关能量
1.38mJ（开），906µJ（关）4.9mJ（开），12mJ（关）
栅极电荷
210 nC420 nC
25°C 时 Td（开/关）值
22ns/163ns52ns/590ns
测试条件
600V，40A，4.3 欧姆，15V600V，70A，1.5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
供应商器件封装
D3PAKTO-264（IXYK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IXYK140N120A4
IXYK140N120A4
IGBT 140A 1200V TO264
IXYS
16
现货
1 : ¥407.78000
管件
管件
在售
PT
1200 V
480 A
1200 A
1.7V @ 15V，140A
1500 W
4.9mJ（开），12mJ（关）
标准
420 nC
52ns/590ns
600V，70A，1.5 欧姆，15V
47 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-264-3，TO-264AA
TO-264（IXYK）
D3PAK
APT40GR120S
IGBT NPT 1200V 88A D3PAK
Microchip Technology
0
现货
70 : ¥69.61914
管件
-
管件
停产
NPT
1200 V
88 A
160 A
3.2V @ 15V，40A
500 W
1.38mJ（开），906µJ（关）
标准
210 nC
22ns/163ns
600V，40A，4.3 欧姆，15V
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
D3PAK
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/ 2

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。