单 IGBT

结果 : 5
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-HB2
包装
散装管件
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
40 A50 A70 A86 A145 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A90 A120 A150 A300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V,100A2V @ 15V,35A2V @ 15V,50A2.1V @ 15V,20A2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值
147 W167 W272 W300 W441 W
开关能量
214µJ(关)270µJ(开),310µJ(关)840µJ(开),280µJ(关)910µJ(开),580µJ(关)2.2mJ(开),1.4mJ(关)
栅极电荷
56 nC90 nC125 nC151 nC288 nC
25°C 时 Td(开/关)值
18.4ns/71ns28ns/115ns30ns/130ns72ns/132ns-/78,8ns
测试条件
400V,100A,2.2 欧姆,15V400V,20A,10 欧姆,15V400V,30A,6.8 欧姆,15V400V,35A,10 欧姆,15V400V,50A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
68 ns92 ns115 ns123 ns140 ns
供应商器件封装
TO-247 长引线TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td(开/关)值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
420
现货
1 : ¥23.97000
散装
-
散装
在售
沟槽型场截止
650 V
50 A
90 A
2.1V @ 15V,30A
167 W
270µJ(开),310µJ(关)
标准
90 nC
18.4ns/71ns
400V,30A,6.8 欧姆,15V
115 ns
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
240
现货
1 : ¥29.80000
散装
-
散装
在售
沟槽型场截止
650 V
86 A
150 A
2V @ 15V,50A
272 W
910µJ(开),580µJ(关)
标准
151 nC
28ns/115ns
400V,50A,4.7 欧姆,15V
92 ns
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
TO-247-3
NGTB35N65FL2WG
IGBT TRENCH FS 650V 70A TO247-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥46.80000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
70 A
120 A
2V @ 15V,35A
300 W
840µJ(开),280µJ(关)
标准
125 nC
72ns/132ns
400V,35A,10 欧姆,15V
68 ns
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
STGWA20HP65FB2
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
30 : ¥16.63867
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
40 A
60 A
2.1V @ 15V,20A
147 W
214µJ(关)
标准
56 nC
-/78,8ns
400V,20A,10 欧姆,15V
140 ns
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
TO-247-3
STGWA100H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
30 : ¥42.32967
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
145 A
300 A
2V @ 15V,100A
441 W
2.2mJ(开),1.4mJ(关)
标准
288 nC
30ns/130ns
400V,100A,2.2 欧姆,15V
123 ns
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
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单 IGBT


单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。