单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）201A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 100A，10V4.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 500µA4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
175 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
840 pF @ 50 V11900 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
313W（Tc）340W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-7TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
781
现货
1 : ¥62.89000
剪切带（CT）
1,000 : ¥35.67997
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-263
NTB004N10G
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
onsemi
9,703
现货
1 : ¥54.43000
剪切带（CT）
800 : ¥33.17213
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
201A（Ta）
10V
4.2 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 500µA
175 nC @ 10 V
±20V
11900 pF @ 50 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。