单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A12A（Tc）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60毫欧 @ 30A，10V90 毫欧 @ 9A，10V300 毫欧 @ 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 15 V860 pF @ 25 V920 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.5W3.7W（Ta），88W（Tc）3.8W（Ta），70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-23-3LTO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,197
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
800 : ¥5.57179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
MMBTA28L-TP
SL3407-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23-3L
Micro Commercial Co
2,980
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67389
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A
2.5V，10V
60毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
-
±20V
700 pF @ 15 V
-
1.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3L
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263AB
IRF9530STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Vishay Siliconix
1,813
现货
1 : ¥20.77000
剪切带（CT）
800 : ¥11.62939
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 7.2A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。