单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS®-P2OptiMOS™OptiMOS™ 5TrenchFET®TrenchP™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V50 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A(Ta),10A(Tc)50A(Tc)80A(Tc)85A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)140A(Tc)180A(Tc)195A(Tc)200A(Ta)222A(Tc)261A(Tc)280A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 10A,10V1.4 毫欧 @ 50A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V2.6 毫欧 @ 20A,10V2.8 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 30A,10V3.4 毫欧 @ 25A,10V3.5 毫欧 @ 1A,10V4 毫欧 @ 30A,10V4.5 毫欧 @ 90A,10V4.7 毫欧 @ 90A,10V5.1 毫欧 @ 30A,10V5.2 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.3V @ 120µA3.8V @ 230µA4V @ 150µA4V @ 250µA4V @ 253µA4V @ 33µA4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 10 V30 nC @ 10 V89 nC @ 10 V104 nC @ 10 V130 nC @ 10 V151 nC @ 10 V154 nC @ 10 V155 nC @ 10 V158 nC @ 10 V186 nC @ 10 V187 nC @ 10 V200 nC @ 10 V206 nC @ 10 V250 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-20V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
825 pF @ 30 V1280 pF @ 10 V1711 pF @ 25 V6085 pF @ 25 V6675 pF @ 20 V8125 pF @ 30 V8594 pF @ 15 V10300 pF @ 25 V13178 pF @ 40 V13500 pF @ 25 V13980 pF @ 20 V14500 pF @ 25 V14983 pF @ 20 V15870 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
1.3W2.2W(Ta)3W(Ta),188W(Tc)72W(Tc)88W(Tc)107W(Tc)125W(Tc)136W(Tc)137W(Tc)150W(Tc)157W(Tc)294W(Tc)298W(Tc)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-TO252-3-11PG-TO252-3-313PG-TO263-3-2PG-TO263-7-3PG-WSON-8-2PowerDI5060-8(K 类)PowerPAK® 8 x 8SOT-223-3TO-220-3TO-220SM(W)TO-252AATO-263TO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFN16-PowerSOP 模块PowerPAK® 8 x 8TO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果

显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Infineon Technologies
18,408
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.56952
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
85A(Tc)
-
7.3 毫欧 @ 85A,10V
4V @ 150µA
89 nC @ 10 V
±20V
6085 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N014TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
5,122
现货
1 : ¥54.18000
剪切带(CT)
1,800 : ¥28.00218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 230µA
187 nC @ 10 V
±20V
13178 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
TO-220-3
IXTP140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Littelfuse Inc.
9,266
现货
1 : ¥61.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
140A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±15V
13500 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
SOT-223-3
DMN6069SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Diodes Incorporated
6,548
现货
247,500
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.39442
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.3A(Ta),10A(Tc)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
825 pF @ 30 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
PowerDI5060-8
DMP32M6SPS-13
MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
1,479
现货
655,000
工厂
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.69220
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
158 nC @ 10 V
±20V
8594 pF @ 15 V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8(K 类)
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
12,347
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.95796
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
90A(Tc)
-
4.5 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 253µA
130 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 25 V
-
137W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
1,312
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 250µA
154 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD90P04-9M4L_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Vishay Siliconix
4,791
现货
1 : ¥21.76000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.82615
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263 (D2Pak)
SQM40041EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
1,282
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
800 : ¥13.38773
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 250µA
450 nC @ 10 V
±20V
23600 pF @ 25 V
-
157W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SQM40031EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Vishay Siliconix
1,838
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
800 : ¥13.92239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
800 nC @ 10 V
±20V
39000 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC014N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Infineon Technologies
5,203
现货
1 : ¥28.41000
剪切带(CT)
4,000 : ¥13.83707
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
261A(Tc)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W(Ta),188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
876
现货
1 : ¥28.73000
剪切带(CT)
800 : ¥17.33736
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
13980 pF @ 20 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK_8X8L_Top
SQJQ131EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,085
现货
1 : ¥35.55000
剪切带(CT)
2,000 : ¥12.79630
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
280A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
731 nC @ 10 V
±20V
33050 pF @ 15 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
TO252-3
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Infineon Technologies
4,195
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.78940
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
10V
13.2 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 33µA
30 nC @ 10 V
±20V
1711 pF @ 25 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
1,845
现货
1 : ¥24.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.42776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
-
5.2 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
151 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7, D2Pak
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,765
现货
1 : ¥32.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.34511
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
-
2.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 410µA
250 nC @ 10 V
±20V
17640 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
GC11N65M
G080P06M
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Goford Semiconductor
750
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
800 : ¥8.68783
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
195A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
186 nC @ 10 V
±20V
15870 pF @ 30 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
G040P04M
G040P04M
MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Goford Semiconductor
448
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.45278
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
222A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250µA
206 nC @ 10 V
±20V
14983 pF @ 20 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252
SQD40061EL-T4_GE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
2,495
现货
1 : ¥18.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.34064
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
14500 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
1 : ¥33.25000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.77253
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Ta)
6V,10V
1.8 毫欧 @ 100A,10V
3V @ 1mA
460 nC @ 10 V
+10V,-20V
1280 pF @ 10 V
-
375W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
TO-220SM(W)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 20

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。