单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiTexas InstrumentsWolfspeed, Inc.
系列
C3M™CoolSiC™HEXFET®HiPerFET™, Ultra X3NexFET™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6PowerTrench®StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
100 V120 V150 V1000 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），190A（Tc）32A（Ta），331A（Tc）35A（Tc）150A（Ta）158A（Tc）186A（Tc）195A（Tc）225A（Tc）400A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V10V15V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 150A，10V2.6 毫欧 @ 180A，10V2.7 毫欧 @ 100A，10V3 毫欧 @ 200A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V4.5 毫欧 @ 100A，10V5.9 毫欧 @ 120A，10V9.9 毫欧 @ 108A，18V78 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250µA3.5V @ 5mA3.6V @ 275µA4V @ 250µA4.5V @ 8mA4.6V @ 243µA4.6V @ 264µA5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 15 V92 nC @ 10 V93 nC @ 10 V100 nC @ 10 V141 nC @ 10 V153 nC @ 10 V289 nC @ 18 V365 nC @ 10 V540 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+19V，-8V+20V，-5V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 600 V6000 pF @ 75 V7300 pF @ 75 V9170 pF @ 800 V9445 pF @ 75 V11000 pF @ 60 V12000 pF @ 50 V19860 pF @ 50 V23700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），319W（Tc）3.8W（Ta），341W（Tc）3.8W（Ta），395W（Tc）113.5W（Tc）375W（Tc）429W（Tc）520W（Tc）750W（Tc）1250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-16-U01PG-TO247-3PG-TO247-4-8TO-220-3TO-247-3TO-247-4LTO-247ACTO-264
封装/外壳
16-PowerSOP 模块TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Texas Instruments
1,527
现货
1 : ¥36.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Ta）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 AD EP
FDH055N15A
MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
onsemi
7,326
现货
1 : ¥59.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
158A（Tc）
10V
5.9 毫欧 @ 120A，10V
4V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
9445 pF @ 75 V
-
429W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4468PBF
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Infineon Technologies
499
现货
1 : ¥61.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
195A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 180A，10V
4V @ 250µA
540 nC @ 10 V
±20V
19860 pF @ 50 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0065100K
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
601
现货
1 : ¥175.12000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1000 V
35A（Tc）
15V
78 毫欧 @ 20A，15V
3.5V @ 5mA
35 nC @ 15 V
+19V，-8V
660 pF @ 600 V
-
113.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
115
现货
1 : ¥496.36000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
225A（Tc）
15V，18V
9.9 毫欧 @ 108A，18V
5.2V @ 47mA
289 nC @ 18 V
+20V，-5V
9170 pF @ 800 V
-
750W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
IRF150P220AKMA1
IRF150P221AKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Infineon Technologies
422
现货
1 : ¥68.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
186A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 100A，10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
IPTC017N12NM6ATMA1
IPTC017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
1,554
现货
1 : ¥59.77000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.89564
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
32A（Ta），331A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3.8W（Ta），395W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
TO-264
IXFK400N15X3
MOSFET N-CH 150V 400A TO264
Littelfuse Inc.
100
现货
1 : ¥335.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
400A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 200A，10V
4.5V @ 8mA
365 nC @ 10 V
±20V
23700 pF @ 25 V
-
1250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-264
TO-264-3，TO-264AA
0
现货
查看交期
1 : ¥61.98000
剪切带（CT）
1,800 : ¥35.16059
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。