单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
OptiMOS™STripFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）8.8A（Ta），42A（Tc）11A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 20A，10V16 毫欧 @ 33A，10V25 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 73µA3.5V @ 33µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V25 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 25 V1700 pF @ 50 V3360 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），52W（Tc）2.4W（Ta）60W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8PowerFlat™（2x2）
封装/外壳
6-PowerWDFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
28,461
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.25673
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
12 毫欧 @ 20A，10V
3.1V @ 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Infineon Technologies
22,425
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.07391
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8.8A（Ta），42A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerFlat
STL7N6F7
MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,168
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.14815
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 3.5A，10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（2x2）
6-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。